SLC全称为Single-LevelCell,单层单元闪存。SLC为NAND闪存架构,其每一个单元储存一位数据。
SLC闪存始终处于以下两种状态之一：已编程(0)或已擦除(1)。状态由施加到电池的电荷水平决定。因为只有两种选择，零或一，可以快速解释单元的状态，减少误码的机会。
单个SLC存储单元在发生故障之前可以维持大约100,000次写入操作。一旦一个单元被写入其限制，该单元就会开始忘记存储的内容，并且可能会发生数据损坏。
单级单元执行所有闪存存储类型中最简单的操作。它也是持续时间最长的闪存，因为它每位存储一个单元，并且固件在读写操作期间不需要遍历单元中的多个数据级别。
虽然SLC闪存设备的每单元额定写入次数为100,000次，但多级单元(MLC)的额定写入次数仅为每单元10,000次。但SLC也是最昂贵的闪存SSD。
SLC通常用于需要高性能和长期可靠性的商业和工业应用以及嵌入式系统。SLC使用高级闪存技术，可提供良好的性能和耐用性，但代价是其高昂的价格。SLC闪存的价格通常是MLC闪存的两倍多。
随着每个单元添加位，每个单元需要更多状态。两位MLC有四个状态，三级单元(TLC)有八个状态，四位MLC有16个状态。每个状态都需要离散的电压电平，这会随着每个单元添加更多位而降低写入吞吐量。
增加的状态也使多级电池驱动器的工作温度更加重要。高温会导致电子泄漏，并且由于MLC需要提高灵敏度来区分状态，因此它们更容易过热。
