13005是NPN型高反压开关三极管。
主要参数：
VCBO：700V ；VCEO：400V；VEBO：9V；ICM：5A；PCM：75W。
双极型大功率晶体极限参数：
1、集电结最大允许耗散功率1.5W（25℃下）。
2、集电结反向耐压700V。
3、最大集电极电流4A。
4、允许结温范围（贮存和工作状态）-55℃~+150℃。
5、其他主要电气参数：直流电流增益（Vce=5V，Ic=1000mA），10（最小值）~40（典型值），集电结饱和压降（IC=2000mA，IB=500 mA）0.6V。
扩展资料
（1）首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管)，基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0.7v)。当基极与发射极之间的电压小于0.7v时，基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7v要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7v时，基极电流都是0)。
（2）如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基极偏置电阻)，那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，小信号就会导致基极电流的变化，而基极电流的变化，就会被放大并在集电极上输出。
（3）发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
参考资料：百度百科：三极管放大电路基本原理
